所屬系列：ZJYQ-ZYQCLMP-HITACHI
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離子研磨儀IM4000II規(guī)格：
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主要內(nèi)容 |
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使用氣體 |
氬氣 |
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氬氣流量控制方式 |
質(zhì)量流量控制 |
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加速電壓 |
0.0 ～ 6.0 kV |
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尺寸 |
616(W) × 736(D) × 312(H) mm |
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重量 |
主機(jī)53 kg＋機(jī)械泵30 kg |
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截面研磨 |
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快研磨速度（Si材料） |
500 μm/h*1以上 |
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大樣品尺寸 |
20(W）×12(D）×7（H）mm |
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樣品移動范圍 |
X±7 mm、Y 0 ～+3 mm |
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離子束間歇加工功能 |
1秒 ～ 59分59秒 |
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擺動角度 |
±15°、±30°、±40° |
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廣域截面研磨功能 |
- |
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平面研磨 |
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大加工范圍 |
φ32 mm |
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大樣品尺寸 |
Φ50 X 25 (H) mm |
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樣品移動范圍 |
X 0～＋5 mm |
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離子束間歇加工功能 |
1秒 ～ 59分59秒 |
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旋轉(zhuǎn)速度 |
1 rpm、25 rpm |
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擺動角度 |
±60°、± 90° |
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傾斜角度 |
0 ～ 90° |
*1將Si片從遮擋板邊緣突出100 μm并加工1小時(shí)的深度。
選配項(xiàng)：
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項(xiàng)目 |
內(nèi)容 |
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低溫控制功能*2 |
通過液氮間接冷卻樣品，溫度設(shè)定范圍：0°C ～ －100°C |
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硬遮擋板 |
使用時(shí)間約為標(biāo)準(zhǔn)遮擋板的2倍（不含鈷） |
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加工過程觀察用顯微鏡 |
放大倍數(shù) 15× ～ 100× 雙目型、三目型（可裝CCD） |
*2需與主機(jī)同時(shí)訂購。冷卻溫度控制功能在使用時(shí)，部分功能可能使用有限。
